2026年春江苏开放大学电子器件基础061236形成性考核作业1答案
试题列表单选题题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:211. Si单晶体的结构属于( )结构。A金刚石B闪锌矿C面心立方D体心立方学生答案:A老师点评:题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:22下列材料中属于半导体的是:A铜B硅C玻璃D橡胶学生答案:B老师点评:题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:23在本征半导体中,电子浓度与空穴浓
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试题列表
单选题
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
1
1. Si单晶体的结构属于( )结构。
A
金刚石
B
闪锌矿
C
面心立方
D
体心立方
学生答案:A
老师点评:
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
2
下列材料中属于半导体的是:
A
铜
B
硅
C
玻璃
D
橡胶
学生答案:B
老师点评:
题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:2
3
在本征半导体中,电子浓度与空穴浓度之间的关系是:
A
电子浓度 > 空穴浓度
B
电子浓度 < 空穴浓度
C
电子浓度 = 空穴浓度
D
两者无关
学生答案:C
老师点评:
题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:2
4
N型半导体中多数载流子是:
A
电子
B
空穴
C
离子
D
中子
学生答案:A
老师点评:
题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:2
5
费米能级是描述的是:
A
电子能量分布的概率
B
半导体材料的导电能力
C
载流子的迁移率
D
半导体材料的晶格结构
学生答案:A
老师点评:
题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:2
6
PN结形成的内建电场方向是:
A
从N区指向P区
B
从P区指向N区
C
从中间向两侧
D
无固定方向
学生答案:A
老师点评:
题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:2
7
PN结正向偏置时,电流主要由( )形成
A
少数载流子注入
B
多数载流子扩散
C
势垒区复合
D
雪崩击穿
学生答案:B
老师点评:
题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:2
8
下列哪种击穿机制是PN结常见的反向击穿机制?
A
热击穿
B
隧道击穿
C
雪崩击穿
D
以上都是
学生答案:D
老师点评:
题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:2
9
PN结空间电荷区又称为:
A
扩散区
B
中性区
C
耗尽区
D
反型层
学生答案:C
老师点评:
题型:单选题客观题分值2分难度:较难得分:2
10
PN结反偏时,反向电流主要由( )组成
A
多子漂移电流
B
少子抽取电流
C
势垒区产生电流
D
扩散电流与产生电流
学生答案:B
老师点评:
题型:单选题客观题分值2分难度:较难得分:2
11
势垒电容与外加电压的关系是( )
A
与电压无关
B
随正偏压增大而增大
C
随反偏压增大而增大
D
随反偏压增大而减小
学生答案:D
老师点评:
题型:单选题客观题分值2分难度:较难得分:2
12
扩散电容主要出现在( )
A
反偏PN结
B
正偏PN结
C
零偏PN结
D
击穿状态
学生答案:B
老师点评:
题型:单选题客观题分值2分难度:较难得分:2
13
PN结正偏时,势垒高度( )
A
增加
B
减小
C
不变
D
消失
学生答案:B
老师点评:
判断题
题型:判断题客观题分值2分难度:中等得分:2
1
PN结空间电荷区的形成是由于载流子的扩散与漂移运动达到平衡所致,这时对应PN结两侧交界处存在一个接触电势差U。
A正确
B错误
学生答案:A
老师点评:
题型:判断题客观题分值2分难度:中等得分:2
2
一种半导体的本征载流子浓度ni与这种材料的禁带宽度Eg无关。
A正确
B错误
学生答案:B
老师点评:
题型:判断题客观题分值2分难度:中等得分:2
3
半导体晶体一个重要的特性就是所谓的各向异性。因此,制造不同类型的器件通常需要选择不同的晶向。
A正确
B错误
学生答案:A
老师点评:
题型:判断题客观题分值2分难度:中等得分:2
4
肖克莱方程指出,一个PN结的电流电压关系满足线性关系。
A正确
B错误
学生答案:B
老师点评:
题型:判断题客观题分值2分难度:中等得分:2
5
N型半导体材料的费米能级高于禁带中心Ei,其费米能级越接近于导带底则表示其掺杂浓度越低
A正确
B错误
学生答案:B
老师点评:
题型:判断题客观题分值1分难度:较难得分:1
6
半导体材料的电阻率随温度升高而降低。
A正确
B错误
学生答案:A
老师点评:
填空题
题型:填空题主观题答案允许乱序分值2分难度:中等得分:2
1
PN突变结内建电势VD表达式为
学生答案:VD=K0T/q ln(NAND/ni2)
题型:填空题主观题答案允许乱序分值4分难度:中等得分:4
2
当对 PN 结外加正向电压时,由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散,一边 。每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的
学生答案:与空穴复合;1/e
题型:填空题客观题答案允许乱序分值4分难度:中等得分:4
3
半导体晶体材料中的载流子的运动方式有 、
第1空分值:2分
第2空分值:2分
学生答案:扩散运动;漂移运动
题型:填空题客观题答案允许乱序分值3分难度:简单得分:3
4
自然界中的物质,按照导电能力的强弱,可以分为 、 、 。
第1空分值:1分
第2空分值:1分
第3空分值:1分
学生答案:导体;半导体;绝缘体
简答题
题型:简答题主观题分值10分难度:中等得分:10
1
学习实验与技能训练(一)中的视频和文档,在MATLAB中复制代码进入命令行窗口,
绘制费米分布函数f(E)与温度关系,把截图插入答案中,并解释其中的物理内涵
学生答案:(购买后获取答案)
题型:简答题主观题分值10分难度:中等得分:10
2
学习实验与技能训练(二)中的视频和文档,在MATLAB中复制代码进入命令行窗口,
绘制下列半导体物理基本公式:
(1)本征载流子浓度随温度变化曲线;
(2)费米能级随掺杂浓度的变化曲线,
把两个截图插入答案中,并解释其中的物理含义。
学生答案:(购买后获取答案)
题型:简答题主观题分值10分难度:中等得分:10
3
学习实验与技能训练(一)中的视频和文档,在MATLAB中复制代码进入命令行窗口
(1)运用plot命令,
同一个图上画出y=sinx,y=cosx,y=sin(x+π/4),y=cos(x+π/4)的图像,并设置曲线的线形和颜色。
(2)运用meshgrid命令绘制马鞍面z=-x4+y4-x2-y2-2xy
把2个截图插入答案中
学生答案:(购买后获取答案)
题型:简答题主观题分值10分难度:中等得分:10
4
简要叙述平衡PN结是如何形成的?
学生答案:(购买后获取答案)
题型:简答题主观题分值10分难度:中等得分:10
5
半导体的扩散系数D和迁移率µ分别反映什么物理性能?他们二者之间的关系是什么?
学生答案:(购买后获取答案)
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