2026年春江苏开放大学电子器件基础061236形成性考核作业2答案

文档介绍

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试题列表
单选题
题型：单选题客观题分值2分难度：简单得分：2
1
双极型晶体管（BJT）的三个区分别是（ ）
A
源极、漏极、栅极
B
发射极、基极、集电极
C
阳极、阴极、控制极
D
正极、负极、中间极
学生答案：B
老师点评：
题型：单选题客观题分值2分难度：简单得分：2
2
晶体管的基本结构中，发射区和基区之间的PN结称为：
A
集电结
B
发射结
C
基结
D
输出结
学生答案：B
老师点评：
题型：单选题客观题分值2分难度：中等得分：2
3
晶体管要实现电流放大，发射结和集电结的偏置状态应为：
A
发射结反偏，集电结正偏
B
发射结正偏，集电结反偏
C
两结均正偏
D
两结均反偏
学生答案：B
老师点评：
题型：单选题客观题分值2分难度：中等得分：2
4
晶体管在开关电路中通常工作在：
A
放大区和截止区
B
饱和区和截止区
C
放大区和饱和区
D
所有区域均可
学生答案：B
老师点评：
题型：单选题客观题分值2分难度：中等得分：2
5
在共发射极输出特性曲线中，当 IB=0时，集电极电流为：
A
0
B
ICEO
C
ICBO
D
IEBO
学生答案：B
老师点评：
判断题
题型：判断题客观题分值2分难度：中等得分：2
1
双极型晶体管的基区宽度Wb很大程度上就决定了这支晶体管性能的优劣。
A正确
B错误
学生答案：A
老师点评：
题型：判断题客观题分值2分难度：中等得分：2
2
晶体管中发射区杂质浓度通常高于基区，以提高发射效率。
A正确
B错误
学生答案：A
老师点评：
题型：判断题客观题分值2分难度：中等得分：2
3
共基极接法既能放大电流也能放大电压。
A正确
B错误
学生答案：B
老师点评：
题型：判断题客观题分值2分难度：中等得分：2
4
基区宽度越宽，晶体管的频率特性越好。
A正确
B错误
学生答案：B
老师点评：
题型：判断题客观题分值2分难度：中等得分：2
5
晶体管在开关状态下，导通时管压降很大。
A正确
B错误
学生答案：B
老师点评：
题型：判断题客观题分值2分难度：中等得分：2
6
晶体管在饱和区仍具有线性放大作用。
A正确
B错误
学生答案：B
老师点评：
题型：判断题客观题分值1分难度：简单得分：1
7
半导体器件的仿真实验可以帮助理解参数对性能的影响。
A正确
B错误
学生答案：A
老师点评：
题型：判断题客观题分值2分难度：中等得分：2
8
掺金可提高少数载流子寿命，从而改善开关速度。
A正确
B错误
学生答案：A
老师点评：
题型：判断题客观题分值2分难度：中等得分：2
9
在截止状态下，晶体管的集电极电流接近于零。
A正确
B错误
学生答案：A
老师点评：
题型：判断题客观题分值2分难度：中等得分：2
10
共基极接法中，输入电流为 Ie，输出电流为 Ic。
A正确
B错误
学生答案：A
老师点评：
题型：判断题客观题分值2分难度：中等得分：2
11
基区宽度越窄，晶体管的开关速度越快。
A正确
B错误
学生答案：A
老师点评：
题型：判断题客观题分值2分难度：中等得分：2
12
在开关过程中，延迟时间主要与发射结和集电结的势垒电容充电有关。
A正确
B错误
学生答案：A
老师点评：
题型：判断题客观题分值2分难度：中等得分：2
13
共发射极输入特性曲线随 Vce增大而左移。
A正确
B错误
学生答案：B
老师点评：
题型：判断题客观题分值2分难度：中等得分：2
14
共发射极输出特性曲线中，IC曲线向上微微倾斜，是因为集电结电压增大时，基区宽度变窄的缘故。
A正确
B错误
学生答案：A
老师点评：
题型：判断题客观题分值1分难度：简单得分：1
15
NPN管中，电子电流在传输的过程中有两次损耗，一是在发射区，与从基区注入的空穴复合损失，二是在集电区和空穴复合损失。
A正确
B错误
学生答案：B
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填空题
题型：填空题主观题答案允许乱序分值5分难度：中等得分：5
1
双极型晶体管中，
共基极直流电流放大系数ɑ0定义为 与 之比，
共发射极直流电流放大系数 β0的定义为 与 之比，
 α0和 β0  的数学关系为
学生答案：IC；IE；IC；IB；β0=a0/1-a0
题型：填空题主观题答案允许乱序分值3分难度：中等得分：3
2
集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会 ，使基区宽度 ，从而 使集电极电流 ，这就是基区宽度调变效应
学生答案：增大；减小；增大
题型：填空题主观题答案允许乱序分值3分难度：简单得分：3
3
开关电路中，双极型晶体管一般采用共发射极接法。共发射极输出特性曲线一般可以分为3个不同的区域，它们是 、 、
学生答案：截止区；放大区；饱和区
简答题
题型：简答题主观题分值13分难度：中等得分：13
1
学习实验与技能训练（三）中的视频和文档，在MATLAB中复制代码进入命令行窗口，绘制双极型晶体管的平衡能带图，学习调节掺杂的参数和总基区宽度，观察能带图结构变化，插入原始能带截图和三次修改后的截图，并解释物理含义。
学生答案：（购买后获取答案）
题型：简答题主观题分值13分难度：中等得分：13
2
学习实验与技能训练（三）中的视频和文档，在MATLAB中复制代码进入命令行窗口，绘制
双极型晶体管的（1）ICVBEVCE三维曲线（2）输入特性曲线（3）输出特性曲线
把截图插入答案中，并解释物理含义
学生答案：（购买后获取答案）
题型：简答题主观题分值10分难度：中等得分：10
3
学习实验与技能训练（二）中的视频和文档，在MATLAB中复制代码进入命令行窗口，绘制理想二极管I-V特性随半导体杂质浓度变化曲线，把截图插入答案中，并解释其含义
学生答案：（购买后获取答案）
题型：简答题主观题分值8分难度：中等得分：8
4
双极型晶体管从结构上看，分为几个区？几个结？当双极型晶体管工作在放大区，饱和区，截止区时，里面的PN结分别如何偏置？
学生答案：（购买后获取答案）
题型：简答题主观题分值7分难度：中等得分：7
5
高频率时，双极型晶体管有哪几个特征频率参数？它们分别代表什么物理含义？
学生答案：（购买后获取答案）