2026年春江苏开放大学电子器件基础061236形成性考核作业3答案
试题列表单选题题型：单选题客观题分值2分难度：中等得分：21在MOS晶体管中，用于防止栅击穿的常见保护措施是（ ）A并联输入二极管B串联输入电阻C增加栅氧化层厚度D降低栅极电压学生答案：A老师点评：题型：单选题客观题分值2分难度：中等得分：22实现金属-半导体欧姆接触的常用方法是：A轻掺杂接触区B高掺杂接触区C使用高功函数金属D增加界面态密度学生答案：B老师点评：题型：单选题客观题分值2分难度：中
