电子器件基础

2026年春江苏开放大学电子器件基础061236形成性考核作业2答案

试题列表单选题题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:21双极型晶体管(BJT)的三个区分别是( )A源极、漏极、栅极B发射极、基极、集电极C阳极、阴极、控制极D正极、负极、中间极学生答案:B老师点评:题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:22晶体管的基本结构中,发射区和基区之间的PN结称为:A集电结B发射结C基结D输出结学生答案:B老师点评:题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:23晶

2026年春江苏开放大学电子器件基础061236形成性考核作业3答案

试题列表单选题题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:21在MOS晶体管中,用于防止栅击穿的常见保护措施是( )A并联输入二极管B串联输入电阻C增加栅氧化层厚度D降低栅极电压学生答案:A老师点评:题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:22实现金属-半导体欧姆接触的常用方法是:A轻掺杂接触区B高掺杂接触区C使用高功函数金属D增加界面态密度学生答案:B老师点评:题型:单选题客观题分值2分难度:中

2026年春江苏开放大学电子器件基础061236形成性考核作业1答案

试题列表单选题题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:211. Si单晶体的结构属于( )结构。A金刚石B闪锌矿C面心立方D体心立方学生答案:A老师点评:题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:22下列材料中属于半导体的是:A铜B硅C玻璃D橡胶学生答案:B老师点评:题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:23在本征半导体中,电子浓度与空穴浓